Chemical Mechanical Planarization 什么意思？

化学机械抛光（Chemical mechanical planarization，CMP）技术于90年代前期开始被引入半导体硅晶片工序，从氧化膜等层间绝缘膜开始，推广到聚合硅电极、导通用的钨插塞（W-Plug）、STI（元件分离），而在与器件的高性能画同时引进的铜布线工艺技术方面，现在已经成为关键技术之一。虽然目前有多种平坦化技术，同时很多更为先进的平坦化技术也在研究当中崭露头角，但是化学机械抛光已经被证明是目前最佳也是唯一能够实现全局平坦化的技术。进入深亚微米以后，摆在CMP面前的代表性课题之一就是对于低介电常数材料的全局平