UC知道帮忙翻译(不要在线翻译的)追加高分
来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/07/07 11:30:26
substantially on crystalline quality of the thin films
employed, numerous efforts have been done to improve
the quality on each device by means of several kinds of
growth techniques. The substrate temperature and substrate
material are often important factors to improve the
crystalline quality of the concerned component films. In an
ideal case, any deposition technique for device-grade films
should be independent of the material property of the
substrate concerned. In case of multilayer-structured
devices nowadays often employed, various deposition
processes are usually utilized for such device fabrications.
Especially, high-temperature processes, which are applicable
for most of high-quality material depositions in case
of no interference with the other materials employed,
frequently induce such deteriorations of the layered
structures as interfacia
随着电子薄膜设备中晶体组的优劣成为设备性能的决定性因素，人们开始通过各种手段及先进的技术来提高晶体组的质量。其中决定复合膜晶体组质量的重要因素莫过于晶体的基片温度及材质。在理想的情况下，那些用于普通设备的薄膜，其恒温方面的问题都是可以通过一般的沉积技术得以解决的。而对于那些复层结构的设备，现如今往往是通过分层沉淀的工序来解决。尤其是在高温下，在不添加其他材料的情况下，适用于大部分高品质材质的沉积技术，往往会导致复层结构设备的故障，例如接口腐蚀，交互扩散及薄膜缺陷。在这种情况下，设备是无法发挥其预期的性能的。这样，就需要找到一种新的沉淀技术，从而能够尽可能降低温度，适用于任何基片。
为了达到这个目的，一种可选的方案是采用低能源微粒。它可以减缓升温速度，同时采用耐高温的膜材，这就取代了独立的基板，使得低能粒子能够沉积到其上面。
E10 eV 能够局部加热延展面从而保证结构稳定。此外，选择E10 eV的另一方面考虑是基板的尺寸是衡量薄膜延展的单晶化过程的重要属性值之一。当基板尺寸足够小时，所有之前沉积到上面的原子都可以通过细微的位置重组，从而在基板表面进行周期性的排列。这样可以有效地减少各种结晶缺陷，即减少系统需承受的自由能消耗。由于晶界处的不完全结晶，使得晶界处原子的电能略大于内部，此时系统可以进行足够的缓冲，从而减少晶界处原子的数量，进而尽可能有效地减少自由能的消耗。换句话说，对于尺寸足够小的基板而言，原子会以单晶状态沉积到上面，这时在上层是没有晶界的，而在外层则有晶界。这些微小的低能微粒的能量会局部传送到延展层的最表层区域，从而激发上面沉积的原子的再次重组。
由于表演的薄膜电子器件取决于
大幅晶体的高质量的薄膜
雇用，多次努力都做了改进
质量，对每一个设备的方式几种
生长技术。衬底温度和衬底
材料往往是重要的因素，以改善
晶体质量有关组成的电影。在一个
理想的情况下，任何沉积技术用于设备级电影
应独立于物质财产的安全
衬底关注。在案件的多层结构
设备如今常常受雇，各种沉积
过程通常用于此类装置编造出来的。
尤其是，高温过程，这是适用
对于大多数的高品质材料堆积现象，在病例
无干扰，与其他材