钉扎效应

上面的回答不是材料学吧 我晕 我来回来材料中的钉扎效应 一句话避之 碳氮等小原子偏聚在位错下 缓解应力 使位错稳定化 比如低碳钢的屈服现象就是例证

硅量子点提供的纳米尺度的电子受限效应，促使能级带隙的展开和准直带隙的出现，从而使得硅量子点在光晶尺寸减小的时候，光致发光出现蓝移。但是，对于在氧，氮或者空气等环境下制备的更小的量子点，光致发光的顶点会在一些固定波长位置不动。这就是钉扎效应。
给分吧。

砷化镓原子层沉积法产生氧化铪和氧化铝闸极介电层
III–V半导体上使用的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）和硅基器件相比有很多优势。高的载流迁移率会导致互补性金属氧化物半导体（CMOS）逻辑运算更快，更高击穿场强支持其在大功率/高温方面的应用，能带结构工程提供了设计灵活性，单片光电集成电路使可生产性提高。然而，高载流迁移率的基体复合半导体及锗半导体上的金属氧化物半导体场效应却因缺乏高质量的栅极绝缘层而不能利用， 很大程度上是由于稳定钝化的俱生氧化层的缺失，以及高密度界面缺陷（Dit）随着沉积了氧化物（1）。例如，砷化镓氧化的费米能级钉扎效应归于氧诱导的表面砷原子的位移，而双层氧原子结合的双层镓原子产生了间隙状态（2）。过量的表面砷原子占据了砷化镓对位的缺陷也能造成间隙状态（2,3）。这类砷可通过砷化镓邻近的硫化砷的分解反应来形成，反应如下：

As2O3（氧化砷）+2GaAs（砷化镓）=Ga2O3（氧化镓）+4As（砷）（4）。

最近界面缺陷密度较低的氧化物/III–V型界面用氧化镓的分子束外延（MBE）来补偿（3），而加入镓来减少泄露（1,5）或降低氧化铝含量（6）。氧化镓/砷化镓体系中的费米能级钉扎效应归于一种氧化镓/砷化镓样的界面，在该界面上镓和砷表面的原子以大量电荷储存（2）。原子层沉积法（ALD）或化学气相沉积（CVD）在技术上比分子束外延(MBE)更有前景。采用高质量原子层沉积和化学气相沉积在硅上产生高介电系数值的闸极介电层取得的最新进展使III–V基体的集成方面得到优化（7）。界面缺陷密度为（1012 cm[负2次方] eV[−1次方]）的耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管的闸极堆栈最近通过采用原