NAND FLASH存储器编程

来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/09/20 23:39:15
页写入周期总共包括3个步骤：写入串行数据输入指令(80h)，然后写入3个字节的地址信息，最后串行写入数据。
这3个字节的地址是什么样子的？我一次只想写入4、5个字节的数据，是不是就要占一页啊？

3个字节的地址？你是指它在器件内的编址吗？那个要看手册的，不同的FLASH芯片不一样。
FLASH和E2PROM的区别就是，FLASH只能按块擦，逐位或按块写，而E2PROM可以任意擦写，所以如果只想写入4、5个字节的数据，如果是改写而不是续写，需要擦掉整块数据才能写，所以如果后边有数据要保留的话需要先建立一个缓存，读出整块数据，然后在内存中修改这4、5个要写入的数据后再擦除块，最后重写缓冲中的整块数据。
但如果是续写或是不用后边的区域就要简单得多，续写直接续就可以了，不用后边的区域可以直接擦块就写，写不完也没关系。