关于双向可控硅驱动问题

来源:百度知道 编辑:UC知道 时间:2024/07/02 10:29:57
我做的毕业设计是通过双向可控硅控制电阻炉的,但是老师给出的功率部分并不是采用三极管的导通截止来控制双向可控硅,而是用单向可控硅来控制双向的,通过1个倒T的桥路来转换单向可控硅的电压,以适合双向可控硅使用。这样设计与三极管来控制有什么差别啊?或者说有什么优点?单向可控硅的型号是XL1225,双向可控硅的型号是41600A。
拜托大侠们指点下

我个人认为:首先,双向可控硅的触发方式有:I+、I-、III+、III-,不管是那种触发方式,这里先不谈那种方式优秀的问题,他们都有明确的正负之分,也就说触发的要求是比较严格的,而你前半部分采用的是三极管,后半部分是单向可控硅,问题就出来了,三极管不是不能满足要求,只是在触发的电压输出上不是那么的稳定,还有,三极管构成的触发装置,你也知道他受温度的影响大,而且产生的影响是副作用,也就说他的稳定性不好,在系统常时间工作或者工作环境恶劣,或者设备装置散热系数不高时,他的稳定性,可靠性比单相可控硅差远了,再来说单相可控硅,我们都知道单相可控硅最大的他点,他的单相导电性,正向触发导通,反相阻断。由他来组成的触发装置更为稳定,再次,单相可控硅组成的触发装置,如果设计的好,他的调压范围和稳压效果是很好的。综上所诉,单相可控硅组成双向可控硅的触发控制器是最佳的。