UC知道CPU高手速进!!!~~~~~~~~~
来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/09/21 15:41:22
楼下很多人都说65NM的4800+比90NM的4800+好,疑问出来了,为什么很多的高手都建议我买90NM的呢?
[先说明以下,我的工作用途:大型多BT下载,视频压缩编辑,游戏很少玩撑死也就是CS!请问我这样的需求90NM和65NM哪个更适合我?]
我的配置是:CPU: AMD Athlon64 X2 4800+ AM2(90纳米/盒)
主板：技嘉GA-MA78GM-DS3H
内存：金士顿2G Kingston DDR2 800
[90nm的比65nm的好，这里我们说的是L2的延时，虽然65的功耗低，但是由于二级缓存延时增大了，同主频下，性能不如90nm的]请问具体在什么情况下能表现出来,具体通俗一点 三克油
楼主你好
AMD有一批90纳米的CPU 有不错的超频性能, 如90纳米的3800+和5000+ 超频只是发烧级者的爱好,高手都喜欢超频,所以他们让你买90纳米,但并不是每一款90纳米的CPU都能很好的超频, 90纳米的制作工艺确实不完美,已经被65纳米的代替了,所以被淘汰了,所以你在市面上看不到了.
按工艺说, 技术不断进步,CPU的制作工艺发展过程:
0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.095 0.09(90纳米)微米,0.065(60纳米) 一直发展到目前最先进的0.045(45纳米)微米
晶体管距离缩短后 可直接降低CPU的能耗,从而提升性能,这是质的飞跃. 目前45纳米是最先进的,我们要向前看,不要怀念90纳米了.
请看以下复制的资料:
泄漏电流造成的耗电量增加是90nm工艺Prescott中非常严重的问题。另外，要想提高晶体管的开关切换速度，即工作频率，设计半导体时必须要使电流在晶体管中易于流动。过去晶体管越小，开关所需的电压就越低，耗电量也就越小。而目前的情况是由此减少的这部分耗电量全部被泄漏电流抵消掉了。当然，半导体制造商那时并非完全没有预料到泄漏电流的增加。
降低泄漏电流的技术在90nm工艺时代没有达到实用水平，泄漏电流的增加量也超过了半导体制造商的预想。工作频率普遍超过1GHz的计算机所使用的CPU，这种情况尤为显著。能够采用提高电子迁移率，或者减少泄漏电流通道等泄漏电流降低技术的生产线要借助65nm技术才能完成
与应变硅加速晶体管内电流速度相反，在不同晶体管之间需要更好的绝缘，以避免电流泄漏的问题。在90纳米工艺之前，这个问题并不严重，因为晶体管之间有较长的距离。但转换到90纳米工艺之后，不同晶体管的间距变得非常之短，电流泄漏现象变得异常严重。而为了抵消泄漏的电流，芯片不得不要求更大的供电量，造成的直接后果就是芯片功耗增加。我们可以看到，无论英特尔还是AMD，90纳米工艺制造的产品都没有在功耗方面表现出应有的优势，而按照惯例，每次新工艺都会让同型芯片的功耗降低30%左右。
对于65纳米工艺来说，这个问题到了非解决不可的地步。IBM和AMD都采