三极管高悬赏！三极管啊，搞得我头晕头疼，天天捉摸，没能理解他的特性！谁帮我啊！好的加100分

三极管不是真正的放大电流或电压，他的原理是用小电流控制大电流，来达到放大的目的。三极管的放大作用并不是他能产生电流，而是像一个指挥官一样，通过基极电流控制流过发射结合集电结电流的大小。

在三极管的结构中，三极管的基区很薄，以npn型三极管为例，在通常的情况下，BE结是正偏的，BC结的反偏的，所以电子就从发射区越过发射结注入到基区。BC结反偏，所以在BC结的边界上，理想情况下少子电子的浓度为零。由于电子浓度的差异，从发射区注入的电子会穿越基区扩散到BC结的空间电荷区，那里的电场会把电子扫到集电区中去。这是双极型半导体晶体管的导通原理。最后穿过EC的电流大小是基极电流的函数，这部分电流来自发射结的正偏电压，并非三极管可以凭空产生电流

三极管工作在饱和区，发射结正偏， 集电结正偏。
三极管工作在放大，发射结正偏， 集电结反偏。
三极管工作在截至区，发射结反偏， 集电结反偏。
三极管反向应用时，发射结反偏， 集电结正偏。
这是他们的电平关系。 \

输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为参数）从它的输出特性可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。 截止区当Ube＜0时，则Ib≈0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是： Icbo=(1+β)Icbo 常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃，Icbo 数值增大一倍，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。 饱和区当发射结和集电结均处于正偏状态时，Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。

一般就两个用途，1.作为开关管来用，这个好理解，给基极足够的电流，Vce就会很小，相当于开状态;当把基极的电荷抽走后，Vce间