谁能简明扼要介绍MOS 管，包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异？

其实网上这方面资料有的是，你也应该看到不少。我说说我自己的理解。
关于MOS管记住几点就可以了
1、P和N 。这个和三极管类似，P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上，N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5V以上。记住这句话，这是关于MOS最重要的知识。
2、增强型耗尽型。大多数管子都是增强型的，耗尽型在无线电设备上有用到，平时说的功率MOS都是增强型的，它的功率可以做得很大。
3、记住：不到万不得已不要用P沟道的MOS，价格昂贵、导通电阻大、发热大、效率低，它的唯一的优点是在某些场合中容易驱动，因为只要把栅极电压拉下来就可以了，而N沟道的MOS需要更高的驱动电压，这点很麻烦。

还有，分析电路的时候，P沟道的可看成PNP三极管，N沟道的可堪称NPN的三极管，这样分析会更直观。

MOS管其实很简单的。
先看下边结构，是一个NPN结构，如果你给左边的N接地，右边的N加电压，你说会有电流通过吗？答案一定是不会对吧？原因是两个PN节背对背接，不可能有电流通过。

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N-type |P-type | N-type |
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那么你有什么办法让电流可以通过呢？最直接的想法就是让中间的p-type半导体变成n-type的。有什么办法吗？上个世纪30年代一帮人发现只要给中间的p-type半导体上做一层氧化物，然后给氧化物上加电极，再在电极上加正电，这样电极上的正电就会吸引P-type表面的电子，随着电子增多，P-typ的表面就会变成N-type。这样就相当于三个N-type半导体连在一起。所以就可以导电了。
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|metal |
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| oxide |
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N-type