为什么二极管工作频率过大会失去单向导电性

二极管是有反应时间的，如果有一个高频脉冲加到二极管上，由于普通二极管的反应时间较长，因此可能被瞬时电压尖峰击穿。
瞬态电压抑制二极管的反应时间很短，可达到几PS至几百PS。因此可以抗浪涌电流。

以硅（锗）二极管为例：二极管两端的电压和电流之间的关系可以用伏安特性来表示，伏安特性包括正向特性和反向特性两部分。在正向特性中，当正向电压较小时正向电流很小，这一段称为死区。当正向电压超过某一数值后，正向电流开始明显增大，该电压称为导通电压。硅二极管的导通电压约0.5V，锗二极管约0.1V。二极管正向导通后，电流上升较快，但管压降变化很小。硅二极管的正向压降约为0.6-0.8V,锗二极管的正向压降约为0.2-0.3V。在反向特性中，随着反向电压的增加，反向电流基本不变，且数值很小。小功率二极管的反向电流一般小于0.1微安，锗二极管的反向电流比硅管大得多。受温度影响比较明显。当反向电压增加到一定数值时，反向电流将急剧增加，称为反向击穿。即失去了单向导电性。

是因为二极管存在结电容的原因。频率高时电容不能忽略，众所周知，电容对于高频是容易通过的。高通吗。

是击穿吧！！不是工作频率大，是反偏电压大过击穿电压-就是在反偏时，电流一样能导通，但电压不会有多大变化。