UC知道关于旁路电容和去耦电容的一点疑问
来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/07/07 00:54:19
最近对耦合电容和去耦电容有疑问，上网搜了一下，资料如下：
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
我想问下，一、文中去耦电容的作用是滤除xMHZ以下的噪声还是以上的，如果是以下的话它是否起到信号低通到地的作用？；二、文中说到的1uF以及10uF滤除20MHZ噪声是滤除20MHZ以上还是以下？；三、文中还提到根据C=1/F选用耦合电容，10MHz选用0.1uF,100MHz选用0.01uF，好想和20MHz选用1uF以及10uF有矛盾，这是为什么？。。
鄙人菜鸟。。。。，亟待各位大虾救援啊·~~
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
我想问下，一、文中去耦电容的作用是滤除xMHZ以下的噪声还是以上的，如果是以下的话它是否起到信号低通到地的作用？；二、文中说到的1uF以及10uF滤除20MHZ噪声是滤除20MHZ以上还是以下？；三、文中还提到根据C=1/F选用耦合电容，10MHz选用0.1uF,100MHz选用0.01uF，好想和20MHz选用1uF以及10uF有矛盾，这是为什么？。。
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电路中的滤噪电容的选择还要考虑噪音的频率 在同一电路板上噪音的频率和峰值多有不同 不是研究的 就根据图纸标值装换就可以了
电路中的滤噪电容的选择还要考虑噪音的频率，在同一电路板上噪音的频率和峰值多有不同，不是研究的，就根据图，纸标值装换就可以啦！
选我吧！