如何理解半导体中的陷阱，什么能构成陷阱？

在半导体中的所谓深能级中心主要有陷阱和复合中心。
陷阱是俘获一种载流子的能力强、俘获另外一种载流子的能力弱的一种深能级中心，故陷阱具有存一种储载流子的作用。等电子陷阱是一种杂质原子，即它的价电子数目与晶体母体原子的价电子数目相等，故有“等电子”之称；例如GaAs中的氮原子，它有5个价电子，这与母体As原子的价电子数目相等，故它形成的深能级中心是一种陷阱。
复合中心是俘获两种载流子的能力差不多的一种深能级中心，故复合中心具有使一对载流子消失的作用。
一般，陷阱的能级在禁带中的位置较浅，而复合中心的能级较深。