为什么P沟MOSFET不易获得耗尽型？

这主要是由于n型衬底的表面，在二氧化硅薄膜覆盖下，容易出现电子积累层，而不是耗尽层、更难出现反型层（p型沟道）。其原因在于通过热氧化制作的二氧化硅薄膜，其中往往存在有少量的正电荷（可能是N+、K+等离子所致），所以在Si表面上易于造成电子积累，而非空穴积累。从而较难于获得耗尽型p-MOSFET。