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Cree Cree是目前世界上采用SiC作为衬底材料制造525 nm可见光波段发光二极管用外延片和芯片的专业公司之一。由于采用与众不同的外延衬底材料，有关Cree的工艺技术资料公诸不多。昂贵的SiC衬底材料和世界为数很少的SiC衬底制造公司严重局限了SiC作为衬底材

Cree是目前世界上采用SiC作为衬底材料制造<525 nm可见光波段发光二极管用外延片和芯片的专业公司之一。由于采用与众不同的外延衬底材料，有关Cree的工艺技术资料公诸不多。昂贵的SiC衬底材料和世界为数很少的SiC衬底制造公司严重局限了SiC作为衬底材料的广泛使用。

在不断改善外延品质及提高内量子效率外，Cree主要是针对SiC导电衬底的特点，大量借鉴和采用了在AlInGaP长波长可见光波段发光二极管芯片制造中行之有效的技术来提升外量子效率。主要技术途径有采取通过改变芯片截面形状、厚度和出光方向来大幅度减少光的内反射率，提高出光效率等。采用将芯片截面从矩形改为正梯形，从外延层出光改为由SiC衬底端出光，大幅度减少SiC衬底厚度等技术和方法后，标准芯片的出光功率提升达6倍之多。据2004年最新报道显示，在20 mA驱动电流下，其蓝色LED的出光功率已达19 mW，封成白光后达4.7流明，实验室样品的发光效率达74流明/瓦（量子效率达35%，Wall-plug效率达29%）。在标准芯片的基础上，Cree通过芯片尺寸的放大来制造大功率照明芯片，蓝光大芯片LED在350 mA驱动电流下，出光功率已达250 mW（形成白光二极管后达48流明），制造成白光二极管后发光效率达40流明