什么是多能谷散射

多能谷散射：半导体一直是研究的热门课题，本篇论文研究GaAs和AlAs两种III-V族半导体的介面散射现象。在本篇论文中，我们首先介绍使所用的块材其晶体结构和计算块材能带结构的紧密束缚方法(tight-binding method)。然後，利用紧密束缚模型结合转移矩阵法找到连结两种不同块材的方法，用以探讨GaAs的电子经过介面时，散射到其它能谷的机率。
多能谷散射：我们计算当GaAs/AlAs以(001)和(111)两种不同方向作接合时，电子从GaAs中入射到AlAs在各点所产生的穿透量和反射量，我们发现当块材以(001)方向接合，电子能量小於2.8eV时，电子较容易在Γ1点和X3点间移动；我们并且调整连结两种块材的参数的浓度以观察改变参数对介面散射结果所造成的影响。我们尝试以波函数的对称性来解释在介面散射所得到的结果，但结果显示波函数的对称性和介面散射的现象并无关系。

要考研啊 先支持一下
要考研 肯定要花点钱买书的
<半导体物理学第六版>这本书里第四章第7节有介绍 “多能谷散射耿氏效应”
作 者： 刘恩科、朱秉升、罗晋生 等编著
出版社： 电子工业出版社 出版时间： 2003-8
价 格： 38 元

本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面——包括pn结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、半导体异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。?
本书可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材，也可供从事相关专业的科技人员参考。?