关于”霍耳效应”的不理解处～

导体的上下两端本来是没有电势差的，但是由于导体中自由移动的电子受到洛仑兹力定向移动到一端，另一端的电子就少了，而原子核本来就是带正电的，带负电的电子少了，另一端自然就显正电了，这和感应起电基本上相同的吧

均匀的时候有正点荷和负电荷共同存在
当加了电场后，负电荷会向电场线的负方向移动，留下正电荷，而在另一个地方，也就是负电荷到达的地方，由于这些负电荷的加入，使得负电荷比正电荷多，破坏了原来的平衡，会表现是负极性，原来的地方由于负电荷的移走剩下正电荷，表现出正极性

电荷守恒,总电荷总是不变的

霍尔效应Hall Effect是一种磁电效应，是德国物理学家霍尔1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。

根据霍尔效应，人们用半导体材料制成霍尔元件，它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点，因此，在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用。

通过该实验可以了解霍尔效应的物理原理以及把物理原理应用到测量技术中的基本过程。

当电流垂直于外磁场方向通过导体时，在垂直于磁场和电流方向的导体的两个端面之间出现电势差的现象称为霍尔效应，该电势差称为霍尔电势差（霍尔电压）。
霍尔效应原理
所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。
利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。霍尔电位差UH的基本关系为
UH=RHIB/d（18）

RH=1/nq（金属）（19）

式中RH——霍尔系数：

n——载流子浓度或自由电子浓度；

q——电子电量；

I——通过的电流；

B——垂直于I的磁感应强度；

d——导体的厚度。

对于半导体和铁磁金属，霍