场效应管夹断问题

以NMOS为例，当栅极加高电平在P型衬底中形成N沟道：这是由于栅极电平比栅下的p衬底的电平（衬底是与S一起接地的）高，由于电场作用吸引了少数载流子--电子，然后与两个有源区形成的N沟道。如果这时加大了Vds，相当提高了D端（漏端）的电平，使得栅下的衬底靠近D端的一端的电平也提高，相应的电场开始减弱，也就是说栅下靠近D端的电场比靠近S端的电场要弱，若Vds继续增加使得D端的电平与栅极G的电平相等，则栅下的靠近D端的电场相应的减为0，不能吸引电子形成N沟道，夹断开始从漏端形成，并随着漏端的电平上升而开始往源端S扩散，形成沟道的夹断，这时电流出现饱和，载流子（电子）只能在夹断区紧贴着栅下一薄层向漏端运动，其运动受到限制，这就是电流饱和的微观机理。